常用电容技术参数值大全

常用电容技术参数值大全：

1.陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、或圆盘或圆片作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分为高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡的回路中，作为回路电容器及垫整容器。低频瓷介容器限于在工作频率较低的回路中作为旁路或隔直电流，或对稳定或消耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为他们易于被脉冲电路击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。

2.铝电解电容器

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性 性质，所以电解电容器具有极性，电容大，能耐受大的动脉电流，容量误差大，泄漏电流大，普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：0.47～10000u

额定电压：6.3～450V

主要特点：体积小，容量大，耗损大，漏电大。

3.钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）

用烧结的钽块作正极

,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量：

0.1～1000u

额定电压：

6.3～125V

主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容

应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

4、薄膜电容器

结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电 损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

a 聚酯（涤纶）电容（CL）

电容量：40p～4u

额定电压：63～630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

b 聚苯乙烯电容（CB）

电容量：10p～1u

额定电压：100V～30KV

主要特点：稳定，低损耗，体积较大

应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

c 聚丙烯电容（CBB）

电容量：

1000p～10u

额定电压：63～2000V

主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差

应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

5、瓷介电容器

穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率

特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于

高频旁路。

a 高频瓷介电容（CC）

电容量：1～6800p

额定电压：63～500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好

应用：高频电路

b 低频瓷介电容（CT）

电容量：10p～4.7u

额定电压：50V～100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：要求不高的低频电路